کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1656049 1517439 2015 86 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect-interface interactions
ترجمه فارسی عنوان
تعاملات نقص-رابط
کلمات کلیدی
نانوساختارها، نانوکامپوزیت ها، اینترفیس ها، مدل سازی مقیاس اتمی، واحدهای فاصله بین ناخالصی ها، جابجایی، دوقلوها، مکانیسم، ثبات،
ترجمه چکیده
مواد نانوساختار شامل تراکم بسیار بالایی از رابط ها است. خواص این مواد در معرض شرایط شدید دوز تابش، استرس، تغییر شکل یا درجه حرارت تا حد زیادی توسط تعاملات نقص و رابط تعریف می شود. در این مقاله، درک کنونی اثر متقابل نقص و رابط در نانوکامپوزیت های فلزی و اکسیدی تک فاز و دو مرحلهای بررسی شده است، تاکید بر اینکه چگونه ساختار رابط تاثیر متقابل با نقاط نقطه، خط و مسطح دارد. ما همچنین پایداری بلورهای گرافیکی، شیمیایی و مورفولوژیکی اینترفیس ها را در محیط های مختلف مختلف بررسی می کنیم: تابش و تغییر شکل مکانیکی. درک کنونی ما از این موضوعات، سؤالات جدیدی را مطرح می کند که رابطهای را در مواد جامد کریستالی در مرزهای تحقیق مواد برای سالهای آینده حفظ خواهند کرد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Nanostructured materials contain an extremely high density of interfaces. The properties of these materials when exposed to extreme conditions of radiation dose, stress, deformation, or temperature are largely determined by defect-interface interactions. In this article, we review the present understanding of defect-interface interactions in single-phase and two-phase metal and oxide nanocomposites, emphasizing how interface structure affects interactions with point, line, and planar defects. We also review the crystallographic, chemical, and morphological stability of interfaces in different extreme environments: irradiation and mechanical deformation. Our current understanding of these topics prompts new questions that will maintain interfaces in crystalline solids at the frontier of materials research for years to come.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Progress in Materials Science - Volume 74, October 2015, Pages 125-210
نویسندگان
, , , ,