کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1656572 | 1517594 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-heat assistance chemical vapor deposition of amorphous silicon carbide using monomethylsilane gas under argon plasma
ترجمه فارسی عنوان
تسکین بخار شیمیایی بدون حرارت از کاربید سیلیکون آمورف با استفاده از گاز منومیتیلسیلان تحت پلاسما آرگون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاربید سیلیکون، منومیتیلسیلان، رسوبات بخار شیمیایی، دمای اتاق، پلاسمای آرگون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
Without any heating assistance, argon plasma and monomethylsilane gas were used for forming silicon carbide film on various substrates, such as aluminum, stainless steel and polyimide. After cleaning the substrate surface by an argon plasma treatment at less than 10Â Pa and 0.36Â W/cm2, the monomethylsilane gas at the concentration of 5% was introduced into the argon plasma at 10-15Â Pa within 20Â min. Based on this process, a dense amorphous silicon carbide film thicker than 200Â nm could be produced. The obtained film could perfectly protect the aluminum substrate surface from corrosion by a hydrogen chloride aqueous solution. The same process could form a silicon carbide film on the surfaces of a stainless steel plate and polyimide film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 285, 15 January 2016, Pages 255-261
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 285, 15 January 2016, Pages 255-261
نویسندگان
Kohei Shioda, Maria Tanaka, Asumi Hirooka, Hitoshi Habuka,