کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1658250 | 1517665 | 2012 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Arc deposition of Ti-Si-C-N thin films from binary and ternary cathodes - Comparing sources of C
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Arc deposition of Ti-Si-C-N thin films from binary and ternary cathodes - Comparing sources of C Arc deposition of Ti-Si-C-N thin films from binary and ternary cathodes - Comparing sources of C](/preview/png/1658250.png)
چکیده انگلیسی
⺠Arc deposition of Ti-Si-C-N from binary and ternary cathodes is compared. ⺠Carbon supplied either as gaseous CH4 or alloyed in cathode yields similar films. ⺠Cubic-phase films of high hardness formed for as much as 11 at.% Si and 20 at.% C. ⺠Structure and properties systematically studied with respect to Si and C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 213, December 2012, Pages 145-154
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 213, December 2012, Pages 145-154
نویسندگان
A.O. Eriksson, N. Ghafoor, J. Jensen, L.-Ã
. Näslund, M.P. Johansson, J. Sjölen, M. Odén, L. Hultman, J. Rosen,