کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1659163 | 1517681 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of highly (100)-oriented CeO2 films on polycrystalline Al2O3 substrates by laser chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Preparation of highly (100)-oriented CeO2 films on polycrystalline Al2O3 substrates by laser chemical vapor deposition Preparation of highly (100)-oriented CeO2 films on polycrystalline Al2O3 substrates by laser chemical vapor deposition](/preview/png/1659163.png)
چکیده انگلیسی
CeO2 films were prepared on Al2O3 substrates by laser chemical vapor deposition at different laser power (PL) up to 182 W. The (100)-oriented CeO2 films were prepared at PL = 101–167 W (Tdep = 792–945 K). The texture coefficient (TC) of (200) reflection had a maximum of 6.7 at PL = 113 W (Tdep = 836 K). The (100)-oriented CeO2 films consisted of granular grains and showed a columnar cross section. The deposition rates (Rdep) of (100)-oriented CeO2 films showed a maximum of 43 μm h−1 at PL = 152 W (Tdep = 912 K).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 204, Issues 21–22, 15 August 2010, Pages 3619–3622
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 204, Issues 21–22, 15 August 2010, Pages 3619–3622
نویسندگان
Pei Zhao, Akihiko Ito, Rong Tu, Takashi Goto,