کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1662280 | 1517696 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Deposition of TiO2 thin films by atmospheric plasma post-discharge assisted injection MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
TiO2 thin films have been deposited at low temperature using a new atmospheric pressure deposition process, which combines remote Atmospheric Pressure (AP) Plasma with Pulsed Injection Metallorganic Chemical Vapour Deposition (PIMOCVD). The effects of post-discharge plasma and deposition parameters have been studied with respect to the deposition kinetics, morphology, and microstructure of TiO2 films. It is shown that well-crystallised TiO2 anatase films can be obtained at a temperature of only 275 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 22–23, 25 September 2007, Pages 8971–8975
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 22–23, 25 September 2007, Pages 8971–8975
نویسندگان
C. Jiménez, D. De Barros, A. Darraz, J.-L. Deschanvres, L. Rapenne, P. Chaudouët, J.E. Méndez, F. Weiss, M. Thomachot, T. Sindzingre, G. Berthomé, F.J. Ferrer,