کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1662294 | 1517696 | 2007 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular design of improved precursors for the MOCVD of oxides used in microelectronics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) is an attractive technique for the deposition of dielectric and ferroelectric oxide thin films such as ZrO2, HfO2, Hf-aluminate and -silicate, lanthanide oxides, Pb(Zr,Ti)O3 and SrBi2Ta2O9, which have a variety of applications in microelectronic devices. In this paper the molecular design of a range of new oxide precursors is described. It is shown how the careful selection and design of precursor ligands, such as alkoxides and β-diketonates, leads to precursors with improved physical properties and significantly enhanced MOCVD performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 22â23, 25 September 2007, Pages 9046-9054
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 22â23, 25 September 2007, Pages 9046-9054
نویسندگان
Anthony C. Jones, Helen C. Aspinall, Paul R. Chalker,