کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1662298 | 1517696 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single source precursor-based HV-MOCVD deposition of binary group 13-antimonide thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Tailor-made single source precursors of the type [R2GaSbRâ²2]x (R, Râ²Â = alkyl) have been prepared by a novel synthetic pathways. According to their very low vapor pressures, a specifically designed HV-MOCVD reactor was built, which can be used for the deposition of GaSb material films. The influence of several process parameters such as substrate temperature and reactor geometry on the quality of the resulting films will be discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 22â23, 25 September 2007, Pages 9071-9075
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 22â23, 25 September 2007, Pages 9071-9075
نویسندگان
Stephan Schulz, Sonja Fahrenholz, Daniella Schuchmann, Andreas Kuczkowski, Wilfried Assenmacher, Frank Reilmann, Naoufal Bahlawane, Katharina Kohse-Höinghaus,