کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1663017 | 1517697 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface characterization of silicon carbide following shallow implantation of platinum ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Surface characterization of silicon carbide following shallow implantation of platinum ions Surface characterization of silicon carbide following shallow implantation of platinum ions](/preview/png/1663017.png)
چکیده انگلیسی
Silicon carbide is a promising wide-bandgap semiconductor intended for use in fabrication of high temperature, high power, and fast switching microelectronics components running without cooling. For hydrogen sensing applications, silicon carbide is generally used in conjunction with either palladium or platinum, both of them being good catalysts for hydrogen. Here we report on the temperature-dependent structural changes of silicon carbide substrates implanted with 13 keV Pt ions, providing a hydrogen-sensitive medium, and coated with W, providing electrical contacts to the device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 19–20, 5 August 2007, Pages 8339–8342
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 201, Issues 19–20, 5 August 2007, Pages 8339–8342
نویسندگان
C.I. Muntele, R. Ichou, I.C. Muntele, S. Sarkisov, D. Ila,