کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1663672 | 1517709 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Residual stresses modelled by MD simulation applied to PVD DC sputter deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Residual stresses modelled by MD simulation applied to PVD DC sputter deposition Residual stresses modelled by MD simulation applied to PVD DC sputter deposition](/preview/png/1663672.png)
چکیده انگلیسی
The molecular dynamic method was extended for use in deposition techniques, therefore the development of dynamic equations, boundary conditions and mesoscopic observable was necessary. By application of the Tight-binding method based on the density functional theory for molecular potential functions, it is possible to analyze and optimize the nucleation and layer growth mechanisms of elementary layer substrate systems. So far, we have deposited five copper atoms on a silicon (111) substrate surface. With a mesoscopic stress observable we have measured a residual tensile stress of − 650 MPa.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 200, Issues 5–6, 21 November 2005, Pages 1600–1603
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 200, Issues 5–6, 21 November 2005, Pages 1600–1603
نویسندگان
P. Klein, B. Gottwald, T. Frauenheim, C. Köhler, A. Gemmler,