کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1677797 | 1009909 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Imaging and strain analysis of nano-scale SiGe structures by tip-enhanced Raman spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We visualize SiGe nanostructures by mapping the sample with tip-enhanced Raman spectroscopy. ⺠Appropriate alignment of SiGe sample reduces intensive far-field background signal. ⺠Results demonstrate non-destructive strain characterization on sub-50 nm scale in semiconductors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 111, Issue 11, November 2011, Pages 1630-1635
Journal: Ultramicroscopy - Volume 111, Issue 11, November 2011, Pages 1630-1635
نویسندگان
Peter Hermann, Michael Hecker, Dmytro Chumakov, Martin Weisheit, Jochen Rinderknecht, Artem Shelaev, Pavel Dorozhkin, Lukas M. Eng,