کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1678283 | 1009936 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3DAP analysis of (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The distribution of Mn in a Ga0.963Mn0.037As ferromagnetic semiconductor film has been characterized by the three-dimensional atom probe (3DAP) technique. Atom probe specimens were directly prepared from the (Ga,Mn)As film grown epitaxially on a p-type GaAs substrate by the lift-out technique using a scanning electron microscope/focused ion beam system. The atom probe elemental map revealed that the Mn atoms in the Ga0.963Mn0.037As are uniformly dissolved without forming any nanometer-sized clusters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 109, Issue 5, April 2009, Pages 644–648
Journal: Ultramicroscopy - Volume 109, Issue 5, April 2009, Pages 644–648
نویسندگان
M. Kodzuka, T. Ohkubo, K. Hono, F. Matsukura, H. Ohno,