کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1678283 1009936 2009 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3DAP analysis of (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor thin film
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
3DAP analysis of (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor thin film
چکیده انگلیسی

The distribution of Mn in a Ga0.963Mn0.037As ferromagnetic semiconductor film has been characterized by the three-dimensional atom probe (3DAP) technique. Atom probe specimens were directly prepared from the (Ga,Mn)As film grown epitaxially on a p-type GaAs substrate by the lift-out technique using a scanning electron microscope/focused ion beam system. The atom probe elemental map revealed that the Mn atoms in the Ga0.963Mn0.037As are uniformly dissolved without forming any nanometer-sized clusters.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 109, Issue 5, April 2009, Pages 644–648
نویسندگان
, , , , ,