کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1678729 | 1518374 | 2006 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Specimen preparation for electron holography of semiconductor devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A reliable and quick method of preparing specimens for electron holography of semiconductor devices is described in detail. The method is based on conventional mechanical grinding and polishing, and argon-ion milling, providing a large (â¼100 μm) area of electron transparency, no curtaining and thin dead layers on the surfaces of specimens. The vacuum area, necessary for the reference wave, is cut into the specimen by a focused ion beam. The advantages and disadvantages are discussed. The method has a yield greater than 90%, of tests of more than 20 specimens of MOS transistors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 106, Issues 4â5, March 2006, Pages 365-375
Journal: Ultramicroscopy - Volume 106, Issues 4â5, March 2006, Pages 365-375
نویسندگان
Petr Formanek, Eberhard Bugiel,