کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1680094 | 1010373 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dispersion of heavy ion deposited energy in nanometric electronic devices: Experimental measurements and simulation possibilities
ترجمه فارسی عنوان
پراکندگی انرژی ذخیره شده یون های سنگین در دستگاه های الکترونیکی نانومتری: اندازه گیری های تجربی و امکان شبیه سازی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
The dispersion of heavy ion deposited energy is explored in nanometric electronic devices. Experimental data are reported, in a large thin SOI diode and in a SOI FinFET device, showing larger distributions of collected charge in the nanometric volume device. Geant4 simulations are then presented, using two different modeling approaches. Both of them seem suitable to evaluate the dispersion of deposited energy induced by heavy ion beams in advanced electronic devices with nanometric dimensions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 365, Part B, 15 December 2015, Pages 636–640
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 365, Part B, 15 December 2015, Pages 636–640
نویسندگان
M. Raine, M. Gaillardin, P. Paillet, O. Duhamel, M. Martinez, H. Bernard,