کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1680849 | 1518692 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TEM study of damage recovery in SiC by swift Xe ion irradiation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The microstructure of 4H–SiC samples subsequently irradiated with low energy He (10 keV), Ti (220 keV) and high energy (167 MeV) Xe ions has been studied using cross-sectional transmission electron microscopy. It was found that xenon ions with fluences above 1013 cm−2 restore crystallinity in a heavily damaged partially amorphous zone. No, or negligible damage recovery is observed in fully amorphized layers of silicon carbide.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 327, 15 May 2014, Pages 89–92
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 327, 15 May 2014, Pages 89–92
نویسندگان
V.A. Skuratov, J. O’Connell, A.S. Sohatsky, J. Neethling,