کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1681302 | 1518694 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Measurement of thermal conductivity in proton irradiated silicon
ترجمه فارسی عنوان
اندازه گیری هدایت حرارتی در سیلیکون پروتون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
هدایت حرارتی، آسیب تابش یون، نقص های پیشرفته تصویربرداری از امواج حرارتی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
We investigate the influence of proton irradiation on thermal conductivity in single crystal silicon. We apply a laser based modulated thermoreflectance technique to measure the change in conductivity of the thin layer damaged by proton irradiation. Unlike time domain thermoreflectance techniques that require application of a metal film, we perform our spatial domain measurement on uncoated samples. This provides greater sensitivity to the change in conductivity of the thin damaged layer. Using sample temperature as a parameter provides a means to deduce the primary defect structures that limit thermal transport. We find that under high temperature irradiation the degradation of thermal conductivity is caused primarily by extended defects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 325, 15 April 2014, Pages 11–14
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 325, 15 April 2014, Pages 11–14
نویسندگان
Marat Khafizov, Clarissa Yablinsky, Todd R. Allen, David H. Hurley,