کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1681314 | 1518694 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Geant4 physics processes for silicon microdosimetry simulation: Improvements and extension of the energy-range validity up to 10 GeV/nucleon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Various corrections are added to the MicroElec extension in Geant4, for both incident electrons and protons, in order to extend the energy-range validity of the models. Additional modifications are also made to ease the use in compliance with other Geant4 models. The models are now valid for incident electrons of energy 16.7 eV to 100 MeV and incident protons and heavy ions of energy 50 keV/nucleon up to 10 GeV/nucleon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 325, 15 April 2014, Pages 97–100
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 325, 15 April 2014, Pages 97–100
نویسندگان
M. Raine, M. Gaillardin, P. Paillet,