کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1681760 | 1518651 | 2016 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Method for analyzing passive silicon carbide thermometry with a continuous dilatometer to determine irradiation temperature
ترجمه فارسی عنوان
روش برای تجزیه و تحلیل ترمومتری سیلیکون کاربید منفعل با یک دیاکتومتر مداوم برای تعیین دمای تابش
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
DMTRJMTRCTEHFIRORNLSiCDFROak Ridge National Laboratory - آزمایشگاه ملی Oak RidgeAnnealing - آنیلینگDilatometry - دیلاتومتریHigh Flux Isotope Reactor - راکتور ایزوتوپ شار بالاChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییCVD - رسوب دهی شیمیایی بخار Silicon carbide - سیلیکون کاربیدCoefficient of Thermal Expansion - ضریب انبساط حرارتیX-ray diffraction - پراش اشعه ایکسXRD - پراش اشعه ایکس
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
Silicon carbide is used as a passive post-irradiation temperature monitor because the irradiation defects will anneal out above the irradiation temperature. The irradiation temperature is determined by measuring a property change after isochronal annealing, i.e., lattice spacing, dimensions, electrical resistivity, thermal diffusivity, or bulk density. However, such methods are time-consuming since the steps involved must be performed in a serial manner. This work presents the use of thermal expansion from continuous dilatometry to calculate the SiC irradiation temperature, which is an automated process requiring minimal setup time. Analysis software was written that performs the calculations to obtain the irradiation temperature and removes possible user-introduced error while standardizing the analysis. This method has been compared to an electrical resistivity and isochronal annealing investigation, and the results revealed agreement of the calculated temperatures. These results show that dilatometry is a reliable and less time-intensive process for determining irradiation temperature from passive SiC thermometry.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 370, 1 March 2016, Pages 49-58
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 370, 1 March 2016, Pages 49-58
نویسندگان
Anne A. Campbell, Wallace D. Porter, Yutai Katoh, Lance L. Snead,