کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1682434 | 1010469 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Test simulation of neutron damage to electronic components using accelerator facilities
ترجمه فارسی عنوان
تست شبیه سازی آسیب نوترون به قطعات الکترونیکی با استفاده از امکانات شتاب دهنده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستور دوقطبی، اثرات تابش، خسارت پرتو یونی، آسیب نوترون، آسیب جابجایی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
The purpose of this work is to demonstrate equivalent bipolar transistor damage response to neutrons and silicon ions. We report on irradiation tests performed at the White Sands Missile Range Fast Burst Reactor, the Sandia National Laboratories (SNL) Annular Core Research Reactor, the SNL SPHINX accelerator, and the SNL Ion Beam Laboratory using commercial silicon npn bipolar junction transistors (BJTs) and III–V Npn heterojunction bipolar transistors (HBTs). Late time and early time gain metrics as well as defect spectra measurements are reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 365, Part A, 15 December 2015, Pages 294–299
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 365, Part A, 15 December 2015, Pages 294–299
نویسندگان
D.B. King, R.M. Fleming, E.S. Bielejec, J.K. McDonald, G. Vizkelethy,