کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1684306 | 1010526 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization of oxygen-induced nanosized ripples on aluminum thin films by conductive atomic force microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Nanosized ripples are formed on Al thin films by oblique angle low energy O2+ ion beam sputtering. Conductive atomic force microscopy (C-AFM) shows that the ripples are composed of periodically spaced thin insulating layers on the metal substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 243, Issue 1, January 2006, Pages 16–19
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 243, Issue 1, January 2006, Pages 16–19
نویسندگان
P. Mishra, P. Karmakar, D. Ghose,