کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1684769 | 1518760 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Angular dependence of defect formation in H-implanted silicon studied using deep level transient spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we present preliminary results of a deep level transient spectroscopy study of the charge traps produced as a function of implantation angle for 70 keV H ions implanted into n-type Si(1 0 0) crystals. The defect types, concentrations and their depth profiles are examined as a function of implantation angle. The experimental results are also compared to the vacancy profiles predicted by the Monte-Carlo binary collision code, Crystal-TRIM. The results of this light ion study are compared and contrasted with those of previous studies.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 257, Issues 1–2, April 2007, Pages 212–216
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 257, Issues 1–2, April 2007, Pages 212–216
نویسندگان
B.J. Villis, J.C. McCallum,