کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1685293 | 1010551 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2 Evidence for a dose dependence for thermal redistribution of implanted silicon in SiO2](/preview/png/1685293.png)
چکیده انگلیسی
The redistribution of implanted 30Si atoms in isotopically purified 28SiO2 thermal oxide is studied as functions of temperature and implanted dose. The results clearly evidence a diffusion enhancement, which is more pronounced at low temperature and high dose. The results are consistent with the simple picture that the redistribution is governed by a Si interstitial diffusion mechanism, which can be slowed down by the presence of residual impurities.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 254, Issue 1, January 2007, Pages 139–142
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 254, Issue 1, January 2007, Pages 139–142
نویسندگان
Daniel Mathiot, Michele Perego, Marco Fanciulli, Gérard Ben Assayag,