کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1685946 | 1010583 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical effects of transient neutron irradiation of silicon devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electrical effects of transient neutron irradiation of silicon devices Electrical effects of transient neutron irradiation of silicon devices](/preview/png/1685946.png)
چکیده انگلیسی
The key effects of combined transient neutron and ionizing radiation on silicon diodes and bipolar junctions transistors are described. The results show that interstitial defect reactions dominate the annealing effects in the first stage of annealing for certain devices. Furthermore, the results show that oxide trapped charge can influence the effects of bulk silicon displacement damage for particular devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 255, Issue 1, February 2007, Pages 114–119
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 255, Issue 1, February 2007, Pages 114–119
نویسندگان
H.P. Hjalmarson, R.L. Pease, R.M. Van Ginhoven, P.A. Schultz, N.A. Modine,