کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1686294 | 1518762 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dose-rate dependence of radiation-induced interface trap density in silicon bipolar transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The key effects of ionizing radiation on silicon dioxide are described and computed. Inclusion of bimolecular electron–hole recombination is shown to produce a saturation of fixed charge at high total dose and to a reduction in interface trap density at high dose-rates. These results can explain the enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) phenomenon. These results also predict a new dose-rate dependence at very high dose rates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 250, Issues 1–2, September 2006, Pages 269–273
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 250, Issues 1–2, September 2006, Pages 269–273
نویسندگان
H.P. Hjalmarson, R.L. Pease, C.E. Hembree, R.M. Van Ginhoven, P.A. Schultz,