کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689299 | 1011225 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dielectric properties and model of hopping conductivity of GaAs irradiated by H+ ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Experimental results on frequency and temperature dependences of conductivity of GaAs layers compensated by polyenergetic H+ implantation are presented. A model of hopping conductivity related to amphoteric defects is proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 10, 15 June 2007, Pages 1137–1140
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 10, 15 June 2007, Pages 1137–1140
نویسندگان
P. Żukowski, T. Kołtunowicz, J. Partyka, P. Węgierek, F.F. Komarov, A.M. Mironov, N. Butkievith, D. Freik,