کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689336 | 1011225 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Flash-lamp annealing of semiconductor materials—Applications and process models
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Flash-lamp annealing (FLA) on a millisecond time scale has been shown to be a promising tool in the preparation of high-quality semiconducting materials. The process imposes time varying through-thickness temperature profiles on the substrates being processed, and consequently thermal stresses. A combined thermal and optical model has been developed to predict the substrate temperature distribution and this model has been linked to a structural model to compute stresses and deflections. The paper shows how these models can be used to explore process conditions in flash lamp annealing, with particular regard to the annealing of ion implants in silicon and the crystallization of amorphous silicon layers on glass substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 10, 15 June 2007, Pages 1301–1305
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 10, 15 June 2007, Pages 1301–1305
نویسندگان
R.A. McMahon, M.P. Smith, K.A. Seffen, M. Voelskow, W. Anwand, W. Skorupa,