کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689875 | 1518974 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
One-step growth of curled GaN nanowires using chemical vapor deposition method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Curled GaN nanowires were fabricated using chemical vapor deposition method. ⺠A Growth model was proposed. ⺠Curl of nanowires may due to loss of oxygen during nitridation process. ⺠Deconvoluted PL spectra revealed band emission and surface disorder.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 95, September 2013, Pages 6-11
Journal: Vacuum - Volume 95, September 2013, Pages 6-11
نویسندگان
K.P. Beh, F.K. Yam, L.L. Low, Z. Hassan,