کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1689875 1518974 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
One-step growth of curled GaN nanowires using chemical vapor deposition method
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
One-step growth of curled GaN nanowires using chemical vapor deposition method
چکیده انگلیسی
► Curled GaN nanowires were fabricated using chemical vapor deposition method. ► A Growth model was proposed. ► Curl of nanowires may due to loss of oxygen during nitridation process. ► Deconvoluted PL spectra revealed band emission and surface disorder.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 95, September 2013, Pages 6-11
نویسندگان
, , , ,