کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689985 | 1011247 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Substrate rotation effects on β-FeSi2 epitaxial film growth using MBE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Substrate rotation effects on β-FeSi2 epitaxial film growth using MBE Substrate rotation effects on β-FeSi2 epitaxial film growth using MBE](/preview/png/1689985.png)
چکیده انگلیسی
This study showed that substrate rotation plays an important role in the growth of high-quality β-FeSi2 epitaxial film on hydrogen terminated Si (1 1 1) substrate using molecular beam epitaxy (MBE). The present work elucidated the substrate rotation effects on morphology, thickness, and purity. Results verified that substrate rotation is essential to grow thicker epilayers with better morphology and compositional uniformity. In addition, purity analyses indicated that substrate rotation increases the concentration of non-metallic impurities (H, C, and O), but does not further introduce metallic impurities into β-FeSi2 films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 3, 24 October 2006, Pages 353-359
Journal: Vacuum - Volume 81, Issue 3, 24 October 2006, Pages 353-359
نویسندگان
S.Y. Ji, J.-W. Lim, J.F. Wang, S. Saitou, K. Mimura, G.M. Lalev, M. Isshiki,