کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1690185 | 1518951 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sulfide pretreatment effects of liquid phase deposited TiO2 on AlGaAs and its application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The study explored titanium dioxide (TiO2) prepared by liquid phase deposition (LPD) deposited on (NH4)2Sx-treated aluminum gallium arsenide (AlGaAs), including the surface roughness by using atomic force microscopy (AFM) measurements and electrical properties. The leakage current density of MOS capacitor is approximately 6.83Â ÃÂ 10â7Â A/cm2 at zero electric field for the sample without any pretreatment. The interface trap density (Dit) and the flat-band voltage shift (ÎVFB) are 4.46Â ÃÂ 1012Â cmâ2Â eVâ1 and 3.6Â V, respectively. After the 10Â min 5% (NH4)2Sx pretreatment, the leakage current density, Dit, and ÎVFB can be improved to 1.04Â ÃÂ 10â7Â A/cm2 at zero electric field, 2.28Â ÃÂ 1012Â cmâ2Â eVâ1, and 2Â V, respectively. The paper also demonstrates the application to the AlGaAs/InGaAs metal-oxide-semiconductor pseudomorphic high-electron-mobility transistor (MOS-PHEMT) using LPD-TiO2 after 10Â min sulfide pretreatment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 118, August 2015, Pages 100-103
Journal: Vacuum - Volume 118, August 2015, Pages 100-103
نویسندگان
Jung-Sheng Huang, Tai-Lung Lee, Yong-Jie Zou, Kuan-Wei Lee, Yeong-Her Wang,