کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691301 | 1011308 | 2008 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Application of r.f. plasma ultrashallow nitrogen ion implantation for pedestal oxynitride layer formation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Presented results seem to be very promising and presented methods allow to form ultrathin pedestal oxynitride layers with good properties (e.g. breakdown behavior) and we believe that presented method-ultrashallow nitrogen plasma implantation with plasma oxidation may be seriously considered for future VLSI technologies.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 10, 3 June 2008, Pages 1020-1028
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 10, 3 June 2008, Pages 1020-1028
نویسندگان
T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski, P. Konarski, M. Äwil, P. Hoffmann, D. Schmeisser,