کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691302 | 1011308 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Practical realization of dual-gate-oxide technology concept using ultra-shallow nitrogen r.f. plasma implantation with plasma and thermal oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Practical realization of dual-gate-oxide technology concept using ultra-shallow nitrogen r.f. plasma implantation with plasma and thermal oxidation Practical realization of dual-gate-oxide technology concept using ultra-shallow nitrogen r.f. plasma implantation with plasma and thermal oxidation](/preview/png/1691302.png)
چکیده انگلیسی
The electrophysical properties of the obtained layers and systems (ultrathin dielectric layer, silicon) were characterized by electrical methods. Results of ellipsometric, XPS and ULE-SIMS measurements are also presented and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 10, 3 June 2008, Pages 1029-1033
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 10, 3 June 2008, Pages 1029-1033
نویسندگان
T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski,