کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691302 | 1011308 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Practical realization of dual-gate-oxide technology concept using ultra-shallow nitrogen r.f. plasma implantation with plasma and thermal oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The electrophysical properties of the obtained layers and systems (ultrathin dielectric layer, silicon) were characterized by electrical methods. Results of ellipsometric, XPS and ULE-SIMS measurements are also presented and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 10, 3 June 2008, Pages 1029-1033
Journal: Vacuum - Volume 82, Issue 10, 3 June 2008, Pages 1029-1033
نویسندگان
T. Bieniek, R.B. Beck, A. Jakubowski,