کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1784086 | 1524113 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low bandgap mid-infrared thermophotovoltaic arrays based on InAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک اتمی و مولکولی و اپتیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We demonstrate the first low bandgap thermophotovoltaic (TPV) arrays capable of operating with heat sources at temperatures as low as 345 °C, which is the lowest ever reported. The individual array elements are based on narrow band gap InAs/InAs0.61Sb0.13P0.26 photodiode structures. External power conversion efficiency was measured to be â¼3% from a single element at room temperature, using a black body at 950 °C. Both 25-element and 65-element arrays were fabricated and exhibited a TPV response at different source temperatures in the range 345-950 °C suitable for electricity generation from waste heat and other applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 73, November 2015, Pages 126-129
Journal: Infrared Physics & Technology - Volume 73, November 2015, Pages 126-129
نویسندگان
A. Krier, M. Yin, A.R.J. Marshall, M. Kesaria, S.E. Krier, S. McDougall, W. Meredith, A.D. Johnson, J. Inskip, A. Scholes,