کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1785928 1023399 2014 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room-temperature and solution-processed vanadium oxide buffer layer for efficient charge injection in bottom-contact organic field-effect transistors
ترجمه فارسی عنوان
لایه بافر اکسید وانادیوم پردازش شده و دمای اتاق را برای تزریق شارژ کارآمد در ترانزیستورهای مزایای آلی پایینی تماس می دهد
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
We introduce a room temperature and solution-processible vanadium oxide (VOx) buffer layer beneath Au source/drain electrodes for bottom-contact (BC) organic field-effect transistors (OFETs). The OFETs with the VOx buffer layer exhibited higher mobility and lower threshold voltages than the devices without a buffer layer. The hole mobility with VOx was over 0.11 cm2/V with the BC geometry with a short channel length (10 μm), even without a surface treatment on SiO2. The channel width normalized contact resistance was decreased from 98 kΩ cm to 23 kΩ cm with VOx. The improved mobility and the reduced contact resistance were attributed to the enhanced continuity of pentacene grains, and the increased work function and adhesion of the Au electrodes using the VOx buffer layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 14, Issue 12, December 2014, Pages 1809-1812
نویسندگان
, , , ,