کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1786324 | 1023413 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dark currents in bulk heterojunction devices for imaging applications: The effect of a cathode interfacial layer
ترجمه فارسی عنوان
جریان های تاریک در دستگاه های هجایی انبساطی برای برنامه های کاربردی تصویربرداری: اثر یک لایه اینترفیس کادمی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
While sol-gel-processed metal oxides are widely used as an electron transport layer to enhance photovoltaic performances, their effect on photodetector application was not studied. We found sol-gel-processed titanium oxide deteriorated dark current characteristics in reverse biases by almost two orders of magnitude, whereas bare Al cathodes exhibited ideal dark current characteristics. Increased dark current came from space charge limited currents in microscopic p-i-p metal-semiconductor-metal configurations. The spatial variation of workfunction values was believed to form local leakage paths by partial filling of traps on the surface of sol-gel titanium oxide.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 14, Issue 5, May 2014, Pages 649-652
Journal: Current Applied Physics - Volume 14, Issue 5, May 2014, Pages 649-652
نویسندگان
Jongjin Lee, Jaemin Kong,