کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1786655 | 1023421 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Top-emitting organic light-emitting devices based on silicon substrate using Delta -doping technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have fabricated a Top-emitting organic light-emitting device on silicon substrate Delta -doping technique. Using ultrathin quinacridone as emitting layer, the performance of Top-emitting organic light-emitting device is improved obviously. However, when increasing the thickness of the anode, the performance of device is enhanced dramatically. The max power efficiency of device is 5.9Â Lm/W at 5Â V corresponding to the current efficiency of 9.3Â cd/A. The max current efficiency of device is also increases to 11Â cd/A at 7Â V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 2, March 2011, Pages 162-165
Journal: Current Applied Physics - Volume 11, Issue 2, March 2011, Pages 162-165
نویسندگان
Zhijun Wu, Hengqun Guo, Jiaxian Wang,