کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1787085 | 1023430 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of PVA (Bi2O3-doped) interfacial layer and series resistance on electrical characteristics of Au/n-Si (110) Schottky barrier diodes (SBDs)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠SBDs with/out Bi2O3-doped PVA were fabricated and measured at room temperature. ⺠Bi2O3-doped PVA layer affected main electrical parameters positively. ⺠Nss values without series resistance (Rs) are lower than those with Rs. ⺠Existence of Bi2O3-doped PVA layer decreased leakage current in SBDs. ⺠Existence of Bi2O3-doped PVA layer also decreased density of interface states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 12, Issue 2, March 2012, Pages 525-530
Journal: Current Applied Physics - Volume 12, Issue 2, March 2012, Pages 525-530
نویسندگان
M. Gökçen, T. Tunç, Å. Altındal, Ä°. Uslu,