کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788396 | 1023469 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogen sensing characteristics of non-polar a-plane GaN Schottky diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Pd and Pt Schottky diodes on non-polar a-plane (11–20) GaN layers show large increases in both forward and reverse bias current upon exposure to 4% H2 in N2. The barrier height reduction due to hydrogen exposure is 0.11 eV for Pd/GaN and 0.14 eV for Pt/GaN, with long recovery times (>25 min) at room temperature. The sensitivity to hydrogen is significantly greater than for diodes on conventional c-plane (Ga-polar) GaN, but less than for c-plane (N-polar) material. The diode characteristics remain rectifying after exposure to hydrogen, unlike the case of N-polar GaN where Ohmic behavior is observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 4, July 2010, Pages 1029–1032
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 4, July 2010, Pages 1029–1032
نویسندگان
Yu-Lin Wang, F. Ren, Wantae Lim, S.J. Pearton, Kwang Hyeon Baik, Sung-Min Hwang, Yong Gon Seo, Soohwan Jang,