کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1788649 | 1023477 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room temperature photoluminescence property of Mo-doped In2O3 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Mo-doped In2O3 thin films have been prepared on glass substrates using an activated reactive evaporation method and systematically studied the effect of oxygen partial pressure on the structural, optical, electrical and photoluminescence properties of the films. The obtained films are highly transparent and conductive. The films exhibited the lowest electrical resistivity of 5.2 Ã 10â4 Ω cm, with an average optical transmittance of 90% in the visible region. An intensive photoluminescence emission peaks were observed at 415 and 440 nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 2, March 2010, Pages 386-390
Journal: Current Applied Physics - Volume 10, Issue 2, March 2010, Pages 386-390
نویسندگان
S. Kaleemulla, A. Sivasankar Reddy, S. Uthanna, P. Sreedhara Reddy,