کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1789290 | 1023500 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of thermally annealed ruthenium thin films grown on seed layers in a low-temperature selective deposition region
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Resistivity and surface morphology of Ru films have been investigated after Rapid Thermal Processing (RTP) at 400-700 °C and conventional long-time anneal (LTA) at 300-500 °C. Films were grown on sub-nanometer-thick Pt-Pd alloy seed layer in a surface selective growth region at 110-185 °С using tricarbonyl{η4-cyclohexa-1,3-diene}ruthenium, ammonia, nitrous oxide, hydrogen, and pulsed chemical vapor deposition conditions. Film morphology was stable up to 600 °C RTP, revealing surface agglomerates at 700 °C. The resistivity dropped to stable values after â¼10 min of LTA, revealing film shrinkage up to 50% and cracks at 1 h of 300-500 °C LTA. Both anneal types produced Ru film resistivity â¼â©½40 μΩ cm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 9, Issue 2, Supplement, March 2009, Pages e148-e151
Journal: Current Applied Physics - Volume 9, Issue 2, Supplement, March 2009, Pages e148-e151
نویسندگان
Vladislav Yu. Vasilyev, Konstantin P. Mogilnikov, Yong Won Song,