کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1798292 | 1524816 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrically tunable spin polarization in silicene: A multi-terminal spin density matrix approach
ترجمه فارسی عنوان
قطبش چرخش الکتریکی چرخشی در سیلیکن: یک ماتریس چگالی اسپین چند ترمینال
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اسپینترونیک سیلیکن، قطبش اسپین، اسپینا جفت مدار، مقره های توپولوژیک، ترانزیستور میدان اثر اسپین،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
Recent realized silicene field-effect transistor yields promising electronic applications. Using a multi-terminal spin density matrix approach, this paper presents an analysis of the spin polarizations in a silicene structure of the spin field-effect transistor by considering the intertwined intrinsic and Rashba spin-orbit couplings, gate voltage, Zeeman splitting, as well as disorder. Coexistence of the stagger potential and intrinsic spin-orbit coupling results in spin precession, making any in-plane polarization directions reachable by the gate voltage; specifically, the intrinsic coupling allows one to electrically adjust the in-plane components of the polarizations, while the Rashba coupling to adjust the out-of-plan polarizations. Larger electrically tunable ranges of in-plan polarizations are found in oppositely gated silicene than in the uniformly gated silicene. Polarizations in different phases behave distinguishably in weak disorder regime, while independent of the phases, stronger disorder leads to a saturation value.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 405, 1 May 2016, Pages 317-323
Journal: Journal of Magnetism and Magnetic Materials - Volume 405, 1 May 2016, Pages 317-323
نویسندگان
Son-Hsien Chen,