| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1825581 | 1027365 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Studies of silicon photomultipliers at cryogenic temperatures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Quantum efficiency - بازده کوانتومیTunneling current - جریان تونل زنیLow temperature - دمای پایینDark noise - سر و صدا تاریکAvalanche breakdown - شکستن بهمنSilicon Photomultiplier - فتومتر سیلیکونAvalanche photodiode - فوتودیود بهمنCrosstalk - هم شنوی، کراس تاک، نشت سیگنالAfterpulsing - پس از انفجار
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the behavior of silicon photomultipliers (SiPMs) at low temperatures: I-V characteristics, breakdown voltage, dark noise, afterpulsing, crosstalk, pulse shape, gain and photon detection efficiency are studied as a function of temperature in the range 50K
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 628, Issue 1, 1 February 2011, Pages 389-392
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 628, Issue 1, 1 February 2011, Pages 389-392
نویسندگان
G. Collazuol, M.G. Bisogni, S. Marcatili, C. Piemonte, A. Del Guerra,