کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1828437 | 1027432 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterisation of an epitaxial GaAs/Medipix2 detector using fluorescence photons
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A high-purity GaAs sensor of 110 μm thickness has been bump bonded to a Medipix2 readout chip. The room temperature spectroscopic response of this device to fluorescence photons in the energy range from 8 to 28 keV is presented and compared to the response of a 300 μm thick Si sensor, also bonded to a Medipix2 chip. The measured photopeak responses are used to calibrate both detectors. The depth of depletion of the GaAs sensor is estimated to be â¼50 μm at 140 V sensor bias voltage from measurements made using the 8 keV Kα line of a Cu target X-ray tube.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 591, Issue 1, 11 June 2008, Pages 42-45
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 591, Issue 1, 11 June 2008, Pages 42-45
نویسندگان
Lukas Tlustos, M. Campbell, C. Fröjdh, Pasi Kostamo, Seppo Nenonen,