کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1882367 | 1533513 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias dependence of synergistic radiation effects induced by electrons and protons on silicon bipolar junction transistors
ترجمه فارسی عنوان
وابستگی متداول اثرات تابش سینرژیک ناشی از الکترونها و پروتونها بر روی ترانزیستورهای اتصال دوقطبی سیلیکون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستور اتصال دو قطبی، وضعیت اختلال، اثرات تابش همگرا،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
تشعشع
چکیده انگلیسی
Bias dependence on synergistic radiation effects caused by 110Â keV electrons and 170Â keV protons on the current gain of 3DG130 NPN bipolar junction transistors (BJTs) is studied in this paper. Experimental results indicate that the influence induced by 170Â keV protons is always enhancement effect during the sequential irradiation. However, the influence induced by 110Â keV electrons on the BJT under various bias cases is different during the sequential irradiation. The transition fluence of 110Â keV electrons is dependent on the bias case on the emitter-base junction of BJT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 111, June 2015, Pages 36-39
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 111, June 2015, Pages 36-39
نویسندگان
Chaoming Liu, Xingji Li, Jianqun Yang, Guoliang Ma, Liyi Xiao,