کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1884806 | 1043368 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of various crystalline structures at the SiO2/Si interface by positrons
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
تشعشع
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The nature of the interface of the Si (0 0 1) surface with grown, native oxide is examined by a slow-positron beam equipped with coincidence Doppler broadening (DB). Measurements are combined with theoretical calculations of high-momentum DB profiles of Si, divacancy in Si, Brazilian quartz and the interface itself. From this comparison, the conclusion is drawn that an ordered structure exists at the interface. This structure resembles low quartz or a SiO2 structure with a lower density than low quartz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 76, Issue 2, February 2007, Pages 195–199
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 76, Issue 2, February 2007, Pages 195–199
نویسندگان
G. Brauer, J. Kuriplach, O. Melikhova, W. Anwand, F. Bečvář, W. Skorupa,