کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1887110 | 1043573 | 2008 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compton profiles and band structure calculations of IV–VI layered compounds GeS and GeSe
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
تشعشع
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Compton profiles and band structure calculations of IV–VI layered compounds GeS and GeSe Compton profiles and band structure calculations of IV–VI layered compounds GeS and GeSe](/preview/png/1887110.png)
چکیده انگلیسی
First ever isotropic experimental Compton profiles of GeS and GeSe are presented. Moreover, we present Compton profiles, energy bands and density of states (DOS) using Hartree–Fock, density functional and pseudopotential schemes. It is seen that the Hartree–Fock and density functional theories show a reasonable agreement with the experiment. The equal-valence-electron-density profiles show that GeS is more ionic than GeSe. We have also reported energy bands and DOS using full potential linearized augmented plane-wave method.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 77, Issue 4, April 2008, Pages 391–400
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 77, Issue 4, April 2008, Pages 391–400
نویسندگان
A. Rathor, V. Sharma, N.L. Heda, Y. Sharma, B.L. Ahuja,