کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
4324959 1613952 2012 10 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bursts modify electrical synaptic strength
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
علوم زیستی و بیوفناوری علم عصب شناسی علوم اعصاب (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Bursts modify electrical synaptic strength
چکیده انگلیسی
Changes in synaptic strength resulting from neuronal activity have been described in great detail for chemical synapses, but the relationship between natural forms of activity and the strength of electrical synapses had previously not been investigated. The thalamic reticular nucleus (TRN), a brain area rich in gap junctional (electrical) synapses, regulates cortical attention, initiates sleep spindles, and participates in shifts between states of arousal. Plasticity of electrical synapses in the TRN may be a key mechanism underlying these processes. Recently, we demonstrated a novel activity-dependent form of long-term depression of electrical synapses in the TRN (Haas et al., 2011). Here we provide an overview of those findings and discuss them in broader context. Because gap junctional proteins are widely expressed in the mammalian brain, modification of synaptic strength is likely to be a widespread and powerful mechanism at electrical synapses throughout the brain.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Brain Research - Volume 1487, 3 December 2012, Pages 140-149
نویسندگان
, ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت