کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4403615 | 1307132 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design and Simulation of a CMOS Current Source Cell
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
علوم زیستی و بیوفناوری
علوم محیط زیست
بوم شناسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents a voltage threshold-based self-bias and can be used for integrated CMOS current source structure. When the power supply voltage change from 3 V to 6.5 V, the current source can output 20 current constant currently and enable control terminal also be added that can effectively control the circuit open or closed. After pre - simulation achieve the desired effect we designed and verified the lay- out, then extracted the parasitic parameters and used it with the HSPICE software finish the layout simu- lation. The circuit can be good for the other sub-circuit modules to provide a stable DC bias, so that they can work in a suitable quiescent point.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Procedia Environmental Sciences - Volume 10, Part B, 2011, Pages 1052-1058
Journal: Procedia Environmental Sciences - Volume 10, Part B, 2011, Pages 1052-1058