کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4925644 | 1431411 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The study of cesium ionization at high gas temperature in a primary circuit
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه یونیزاسیون سزیم در دمای بالا گاز در یک مدار اولیه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
محصول تقسیم، سیسیم، یونیزاسیون حرارتی، سینتیک یون
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
مهندسی انرژی و فناوری های برق
چکیده انگلیسی
A kinetic model has been presented in developing a better understanding of the mechanism behind the ions formation at high gas temperature in a primary circuit in conditions of severe accidents. The formation of ions is triggered by the thermal ionization of cesium atoms and irradiation of a hot steam. The kinetics of ions is considered in combination with the neutral chemistry of cesium and iodine species. Modeling results are presented for temperatures 2000 and 1200Â K and a dose rate of 1000Â kGy/s. The evolution of the concentrations of the most abundant ions and neutral reaction products are calculated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Engineering and Design - Volume 310, 15 December 2016, Pages 453-460
Journal: Nuclear Engineering and Design - Volume 310, 15 December 2016, Pages 453-460
نویسندگان
Andrey Sorokin,