کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4925644 1431411 2016 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The study of cesium ionization at high gas temperature in a primary circuit
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه یونیزاسیون سزیم در دمای بالا گاز در یک مدار اولیه
کلمات کلیدی
محصول تقسیم، سیسیم، یونیزاسیون حرارتی، سینتیک یون
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی مهندسی انرژی و فناوری های برق
چکیده انگلیسی
A kinetic model has been presented in developing a better understanding of the mechanism behind the ions formation at high gas temperature in a primary circuit in conditions of severe accidents. The formation of ions is triggered by the thermal ionization of cesium atoms and irradiation of a hot steam. The kinetics of ions is considered in combination with the neutral chemistry of cesium and iodine species. Modeling results are presented for temperatures 2000 and 1200 K and a dose rate of 1000 kGy/s. The evolution of the concentrations of the most abundant ions and neutral reaction products are calculated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Engineering and Design - Volume 310, 15 December 2016, Pages 453-460
نویسندگان
,