کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971183 | 1450468 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A 19.38Â dBm OIP3 gm-boosted up-conversion CMOS mixer for 5-6Â GHz application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A highly linear up-conversion mixer for 5-6 GHz wireless local area network (WLAN) applications implemented using TSMC 0.18-μm standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology is presented. The feature of the proposed mixer is based on the double-balanced Gilbert cell with current-reused technique to enhance the third-order input intercept point (IIP3). Moreover, local oscillator (LO) body grounded and gm-boosting techniques are also integrated to boost the power conversion gain (CG). The proposed up-conversion mixer demonstrates a maximum CG of 7.21 dB, a maximum IIP3 of 13.17 dBm, an output third-order input intercept point (OIP3) of 19.38 dBm, and a DC power consumption of 4 mW on silicon given a 1.1 V supply voltage. The overall chip area including radio frequency (RF) pads is 1Ã0.85 mm2, where the active area is merely 0.7Ã0.37 mm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 60, February 2017, Pages 38-44
Journal: Microelectronics Journal - Volume 60, February 2017, Pages 38-44
نویسندگان
Wen-Hui Huang, I-Yu Huang, Yu-Shan Tseng, Chia-Hsu Hsieh, Chua-Chin Wang,