کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971299 | 1450467 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Extremely low power LNA biased with 0.25-V drain-to-source voltage for 3-to-5Â GHz UWB-IR application
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An extremely low power and low voltage UWB-IR LNA for the 3-5Â GHz range is presented. Based on the bias optimization methodology, an extremely low drain bias (0.25-V) combined with an optimum gate voltage scheme is applied to a two-stage common-source amplifier. In addition, to overcome the increase in the circuit area occupation caused by the additional matching resonator in a cascaded structure, small 3-D inductors are adopted in our design. The UWB-IR LNA shows a peak gain of 13.3Â dB, more than 8Â dB of input/output return loss, and a noise figure of 3.5-4.0Â dB from 3 to 5Â GHz with a power dissipation of 1.77Â mW.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 61, March 2017, Pages 1-5
Journal: Microelectronics Journal - Volume 61, March 2017, Pages 1-5
نویسندگان
Hee-Sauk Jhon, Jongwook Jeon, Myunggon Kang,