کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971339 | 1450470 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A bidirectional neural interface CMOS analog front-end IC with embedded isolation switch for implantable devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A bidirectional neural interface analog front-end IC with both stimulation and recording functions is implemented using 0.18-µm standard CMOS process. The proposed IC is comprised of a bipolar biphasic neural stimulator using a transistor-stacked current-mirror driver to achieve good current matching performance in stimulation mode and low-voltage capacitive feedback neural amplifiers for recording mode. In order to save die area, high-voltage isolation switches are embedded within the stimulator core to protect the low-voltage recording circuits from damage. Despite using a low-voltage process, the stimulator is able to deliver up to 1 mA current through 10 kΩ load using 12.8 V supply voltage and the recording amplifier uses 0.8 V supply voltage while consuming 1 µA of current. The complete IC occupies 0.29 mm2 of die area and can be applied for various multi electrode array interface bidirectional neural SoCs in medical implant devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 58, December 2016, Pages 70-75
Journal: Microelectronics Journal - Volume 58, December 2016, Pages 70-75
نویسندگان
Alfian Abdi, Hyouk-Kyu Cha,